CMOS芯片结构与制造技术潘桂忠

CMOS芯片结构与制造技术

定价 158.00

出版社 电子工业出版社

版次 1

出版时间 2021年12月

开本 16

作者 潘桂忠

页数

字数

ISBN编码 9787121425004

重量

本书从CMOS芯片结构技术出发，系统地介绍了微米﹑亚微米﹑深亚微米及纳米CMOS制造技术，内容包括单阱 CMOS﹑双阱CMOS﹑LV/HV 兼容 CMOS﹑BiCMOS﹑LV/HV兼容BiCMOS，以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件﹑制造技术及主要参数所组成的综合表，从芯片结构出发，利用计算机和它所提供的软件，描绘出芯片制造的各工序剖面结构，从而得到制程剖面结构。书中给出了100种典型CMOS芯片结构，介绍了各种典型制造技术，并描绘出50种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构，对于电路设计﹑芯片制造﹑良率提升﹑产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。

潘桂忠，男，工作期间主要从事集成电路设计，工艺技术，芯片结构，电路研制以及生产等领域工作，休后受聘于各单位(北电或新茂半导体公司，清华大学微电子所，华大ＩＣ设计中心在沪分公司，复华公司以及上海五官科医院等)任高#级技术顾问。曾在国内不同刊物上发表论文50余篇，曾编著《MOS集成电路结构与制造技术》《MOS集成电路工艺与制造技术》等书。

1章  LSI/VLSI制造基本技术 1

1.1  基础工艺技术 1

1.1.1  基础工艺技术 1

1.1.2  工艺制程 3

1.1.3  工艺一体化 4

1.2  器件隔离技术 4

1.2.1  LOCOS隔离 4

1.2.2  浅槽隔离 6

1.2.3  PN结隔离 7

1.3  衬底与阱技术 8

1.3.1  CMOS工艺与阱的形成 8

1.3.2  可靠性与阱技术 10

1.3.3  外延与SOI衬底 10

1.4  栅与源﹑漏结的形成技术 11

1.4.1  栅工艺 11

1.4.2  源﹑漏结构的形成 12

1.4.3  漏极技术 13

1.5  接触的形成与多层布线技术 13

1.5.1  接触的形成 14

1.5.2  金属化系统 14

1.5.3  多层布线工艺与ping坦化技术 14

1.6  BiCMOS技术 15

1.7  LV/HV兼容技术 16

1.7.1  LV/HV兼容CMOS 16

1.7.2  LV/HV兼容BiCMOS 17

1.7.3  LV/HV兼容BCD 18

1.8  MOS集成电路工艺设计 19

1.8.1  硅衬底参数设计 20

1.8.2  栅介质材料 20

1.8.3  栅电极材料 21

1.8.4  阈值电压设计 21

1.8.5  工艺参数设计 22

1.9  MOS集成电路设计与制造技术关系 24

1.9.1  芯片结构及其参数 25

1.9.2  芯片结构技术 25

1.9.3  芯片制造 26

2章  单阱CMOS芯片与制程剖面结构 28

2.1  P-Well CMOS（A） 28

2.1.1  芯片ping面/剖面结构 29

2.1.2  工艺技术 32

2.1.3  工艺制程 32

2.2  P-Well CMOS（B） 34

2.2.1  芯片剖面结构 34

2.2.2  工艺技术 35

2.2.3  工艺制程 38

2.3  P-Well CMOS（C） 39

2.3.1  芯片剖面结构 40

2.3.2  工艺技术 40

2.3.3  工艺制程 43

2.4  HV P-Well CMOS 45

2.4.1  芯片剖面结构 46

2.4.2  工艺技术 46

2.4.3  工艺制程 49

2.5  N-Well CMOS（A） 51

2.5.1  芯片ping面/剖面结构 52

2.5.2  工艺技术 55

2.5.3  工艺制程 55

2.6  N-Well CMOS（B） 57

2.6.1  芯片剖面结构 57